| 摘要 |
<p>Elemento semiconductor amorfo que incluye un material semiconductor amorfo inicialmente de pares aislados que tiene órbitas formadas en una matriz de recepción amorfa sólida que presenta configuraciones estructurales localizadas en lugar de extensas y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo, energético y una energía de activación eléctrica importante, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene unas órbitas que interactúan con las órbitas de la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo energético estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa, reduciendo sustancialmente la energía de activación eléctrica de la misma y, por tanto, aumentando sustancialmente la conductividad eléctrica del elemento semiconductor a temperatura igual o superior a la temperatura ambiente, controlando él grado de adición de material modificador la gama de conductividad eléctrica.</p> |
