发明名称 |
PROCESS OF MANUFACTURE OF EPITAXIAL STRUCTURE CONTAINING LAYERS OF INDIUM PHOSPHIDE AND ARSENIDE-INDIUM PHOSPHIDE IN AS OOX P OO1-OOX |
摘要 |
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申请公布号 |
RU2032960(C1) |
申请公布日期 |
1995.04.10 |
申请号 |
SU19904842361 |
申请日期 |
1990.05.07 |
申请人 |
NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKIJ INSTITUT POLUPROVODNIKOVYKH PRIBOROV |
发明人 |
LUKASH VITALIJ S;TARZIMYANOV ANATOLIJ N;ZORKALTSEVA NINA N;SAPUNOVA GALINA V;BAKIN NIKOLAJ N |
分类号 |
H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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