| 发明名称 |
PROCEDIMENTO E CIRCUITO PER RIPARARE DIFETTO IN DISPOSITIVO DI MEMORIA A SEMICONDUTTORE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ITMI950731(D0) |
申请公布日期 |
1995.04.07 |
| 申请号 |
IT1995MI00731 |
申请日期 |
1995.04.07 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECCTRONICS CO. LTD |
发明人 |
LEE SUNG-SOO;KIM JIN-KI |
| 分类号 |
G11C29/00;G11C29/04;G11C29/24 |
主分类号 |
G11C29/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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