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发明名称 Statische Ram-Zelle mit an Masse verbundene Graben-Transistoren und vergrabene Masseschicht.
摘要
申请公布号 DE3851380(T2) 申请公布日期 1995.04.06
申请号 DE19883851380T 申请日期 1988.06.14
申请人 INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY, INC., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 HSU, FU-CHIEH, CUPERTINO, CAL. 95014, US
分类号 H01L21/74;H01L21/8244;H01L23/532;H01L27/11;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/11 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
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