| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von lumineszenten Elementstrukturen, bei dem auf einem Substrat eine mikrokristalline Schicht hergestellt und diese anschließend zu einer aktiven Schicht (AL) aktiviert und dann kontaktiert wird, so daß eine Spannung anlegbar ist, wobei die mikrokristalline Schicht aus Elementen der IV.HGr, insbesondere Si, Ge, Sn oder deren Legierungen, besteht, wobei mittels CVD eine mikrokristalline Schicht mit einer Schichtdicke < 100 Å hergestellt und passiviert wird, so daß eine aktivierte Schicht (AL) entsteht, die bei Anlegung von Gleichspannung eine Elektrolumineszenz erzeugt, und dadurch hergestellte lumineszente Elementstrukturen.</p> |
