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Zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises wird die Erstellung eines Entwurfs für den Schaltkreis, der mehrere MOS-Transistoren umfaßt, unter Verwendung eines Schaltkreissimulators gesteuert. In dem Schaltkreissimulator wird für die Anschlußknoten der MOS-Transistoren unter Vorgabe der Spannungen zwischen Gate und Source Vgs, zwischen Drain und Source Vds und zwischen dem Substrat und Source Vbs in einem konsistenten Transistormodell, in dem Drift, Diffusion und Kurzkanaleffekte berücksichtigt werden, Ids, Q, <IMAGE> berechnet. <IMAGE>
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