| 摘要 |
<p>Le dispositif comprend une couche de silicium (3) séparée d'un substrat (1) par une couche de matière isolante (2). Une nervure (4) ayant une surface supérieure (4A) et deux surfaces latérales (4B, 4C) est formée dans la couche de silicium (3) afin d'obtenir un guide d'ondes pour la transmission de signaux optiques. Une jonction dopée latérale (7, 9, 8) est formée entre les surfaces latérales (4B, 4C) de la nervure (4) de sorte qu'il est possible d'appliquer un signal électrique sur la jonction (7, 9, 8) afin de réguler la densité des porteurs de charge sur une partie substantielle de la section transversale de la nervure (4) et modifier l'indice de réfraction effectif du guide d'ondes.</p> |
