Method and device for limiting the rate of current decrease at swith-off of semiconductor power switches with MOS control imput.

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Begrenzung der Stromfallgeschwindigkeit beim Abschalten von Leistungshalbleiterschaltern (2) mit MOS-Steuereingang (G). Erfindungsgemäß wird beim Ausschalten in Abhängigkeit einer Induktivität (38) eine Gegenspannung (uLE) erzeugt, die auf eine am Leistungshalbleiterschalter (2) anstehende Gate-Emitterspannung (uGE) rückgekoppelt wird. Somit wird durch diese Rückkopplung die Gate-Emitterspannung (uGE) angehoben, wodurch die Abschaltgeschwindigkeit unverzögert wirksam reduziert wird, ohne dabei die Speicherzeit des Leistungshalbleiterschalters (2) zu vergrößern oder das Einschaltverhalten zu beeinflussen. <IMAGE>