| 发明名称 |
PROCESS OF RECRYSTALLIZATION OF SILICON LAYERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
RU1826815(C) |
申请公布日期 |
1995.03.27 |
| 申请号 |
SU19914936843 |
申请日期 |
1991.05.16 |
| 申请人 |
MINSKIJ RADIOTEKHNICHESKIJ INSTITUT |
发明人 |
LABUNOV V.A.;DEMCHUK A.V. |
| 分类号 |
H01L21/268;(IPC1-7):H01L21/268 |
主分类号 |
H01L21/268 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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