发明名称 栅格阵列掩模带处理方法
摘要 一种栅格阵列掩模带处理方法及其装置使得当晶片通过具有粘胶图形的条带被锯切成小片时能保护半导体晶片上的有源区不受粒子和液体污染物的影响。粘胶图形与有源区之间的锯切通道相对应并与之对齐。粘附条带到晶片上将每个有源区粘封在一个无粘胶的保护壳中。该保护壳在锯切沿锯切通道和粘胶进行时包括条带的无粘胶部分。锯切之后,用紫外线直接通过条带对粘胶进行处理使条带脱离小片。
申请公布号 CN1100563A 申请公布日期 1995.03.22
申请号 CN94103180.2 申请日期 1994.03.29
申请人 德克萨斯仪器股份有限公司 发明人 拉斐尔C·阿尔法罗;戴维·布莱尔
分类号 H01L21/302;H01L21/30;H01L21/02 主分类号 H01L21/302
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 孙敬国
主权项 1、一种保护先前制作在充分处理过的半导体晶片的第一表面上的有源区使之不受由锯切产生和锯切中使用的粒子和液体污染物的危害的方法,其中锯切晶片是沿着有源区之间的锯切通道进行的并将晶片锯切成小片,每个这样的小片包含一个有源区,该方法包含:(a)使所述第一表面与第一条带状元件接触,所述第一条带状元件的一侧面具有与锯切通道相对应并对齐的粘胶图形,该粘胶图形沿通道粘附于第一表面以便由粘胶图形部分为界的无粘胶包含部分复盖并粘封所述有源区,使所述有源区相对于其上的污染物的入口呈密封状态;(b)沿通过第一元件的通道锯切晶片成小片并将第一元件锯切成粘附于小片的片段;和(c)对粘胶进行处理使片段脱离小片。
地址 美国得克萨斯州