| 主权项 |
1.一种附有焊锡突出部之半导体装置,将设置在上下面形成铜箔之树脂基板之上面侧之IC基片之接线电极与设置在下面侧之外部接线用之衬垫经由穿孔连接,对于前述衬垫电极设置焊锡突出部形成附有焊锡突出部之半导体装置中;前述接线电极形成镀金层,前述衬垫电极形成对于焊锡具有良好亲和性之金属镀层之装置。2.如申请专利范围第1项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中形成于前述接线电极之镀金层为含有底镀层之多层镀金属层,形成在前述衬垫电极之金属镀层为前述底镀层者。3.如申请专利范围第2项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中形成于前述衬垫电极之底镀层为镀铜层者。4.如申请专利范围第2项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中形成于前述衬垫电极之底镀层为镀铜层之上部形成镀镍层者。5.如申请专利范围第2项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中形成于前述衬垫电极之底镀层为在镀铜层与镀镍层之上部形成薄镀金属者。6.如申请专利范围第1项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中形成于前述衬垫电极之金属镀层为镀铜层,镀镍层或镀银层中之一者。7.如申请专利范围第1项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中对形成在前述衬垫电极之焊锡具有良好亲和性之金属镀层之表面,设置防止该良好亲和性之金属镀层氧化之氧化防止膜者。8.如申请专利范围第7项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中前述氧化防止膜为硬油膜者。9.如申请专利范围第7项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,前述氧化防止膜为很薄之镀金属者。10.如申请专利范围第9项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中前述氧化防止膜之镀金层厚度较前述接线电极之镀金层厚度更薄者。11.如申请专利范围第10项所述之附有焊锡突出部之半导体装置,其中前述氧化防止膜镀金层之厚度为0.1m以下者。12.一种附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法,将设置在上下面形成铜箔之树脂基板之上面侧之IC基片之接线电极与设置在下面侧之外部接线用之衬垫电极经由穿孔连接,对于前述衬垫电极设置焊锡突出部形成附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法中,以具备:前述树脂基板之上面侧形成接线IC基片所需之接线电极,下面侧形成衬垫电极所需之模式化工程;在前述接线电极与衬垫电极形成光阻模式之开口部之光阻工程;在露出于前述光阻模式之开口部之电极上形成底镀层之一部分或全部之第1镀金属工程;在前述树脂基板之下面侧之衬垫电极形成防止镀金层形成之光阻遮罩之光阻遮罩工程;以及对于形成在前述接线电极上之底镀层,形成剩余之底镀层与镀金层,或仅形成镀金层之第2镀金属工程等工程者。13.如申请专利范围第12项所述之附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法,其前述第1镀金属工程之底镀层之形成为镀铜层,前述第2镀金属工程之镀层之形成为镀镍层,薄镀金层,镀金层之多层镀层者。14.如申请专利范围第12项所述之附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法,其前述第1镀金属工程之底镀层之形成为镀铜层与镀镍层之多层镀层,前述第2镀金属工程之镀层之形成为薄镀金层,镀金层之层多镀层者。15.如申请专利范围第12项所述之附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法,其前述第1镀金属工程之底镀层之形成为镀铜层,镀镍层,薄镀金层之多层镀层,前述第2镀金属工程之镀层之形成为镀金层者。16.一种附有焊接突出部之半导体装置之制造方法,将设置在上下面形成铜箔之树脂基板之上面侧之IC基片之接线电极与设置在下面侧之外部接线用之衬垫电极经由穿孔连接,对于前述衬垫电极设置焊锡突出部形成附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法中,以具备:前述树脂基板之上面侧形成接线IC基片所需之接线电极,下面侧形成衬垫电极所需之模式化工程;在前述接线电极与衬垫电极形成光阻模式之开口部之光阻工程;在露出于前述光阻模式之开口部之电极上形成镀铜层之第1镀金属工程;在前述树脂基板之下面侧之衬垫电极形成防止镀金层形成之光阻遮罩之光阻遮罩工程;对于形成在前述接线电极上之镀铜层,形成镀镍层,薄镀金层及镀金层之第2镀金属工程;由前述树脂基板之下面侧去除前述光阻遮罩之工程;前述树脂基板之上面侧形成光阻遮罩光阻遮罩工程;以及对于前述树脂基板之下面侧之衬垫电极形成镀银层之镀金属工程等工程者。17.一种附有焊接突出部之半导体装置之制造方法,将设置在上下面形成铜箔之树脂基板之上面侧之IC基片之接线电极与设置在下面侧之外部接线用之衬垫电极经由穿孔连接,对于前述衬垫电极设置焊锡突出部形成附有焊锡突出部之半导体装置之制造方法中,以具备:前述树脂基板之上面侧形成接线IC基板之接线电极,下面侧形成衬垫电极之模式化工程;对于前述接线电极与衬垫电极形成光阻模式之开口部之光阻工程:对于露出于前述光阻模式之开口部之电极上形成镀铜层之第1镀金属工程;对于前述树脂基板之下面侧之衬垫电极上形成防止镀金层形成之光阻遮罩之光阻遮罩工程;对于形成在前述接线电极上之镀铜层形成镀镍层,薄镀金层及镀金层之第2镀金属工程;由前述树脂基板之下面侧去除前述光阻遮罩之工程;以及对于前述树脂基板之下面侧之衬垫电极形成氧化防止膜之工程等工程者。第1图(a)-(f)为本发明第1实施例之BGA之各制造工程之基板剖面图,第2图为表示本发明第1实施例之附有焊锡突出部之半导体装置之制造工程之工程图,第3(a),(b)为本发明第1实施例之工程所制造之BGA基板之镀层之主要部分放大剖面图,第4图(a)-(f)为本发明第2实施例之BGA之各制造工程之基板剖面图,第5图(a),(b)为表示第4图(a)-(f)之工程所制造之BGA基板之金属镀层之主要部分放大剖面图,第6图(a)-(f)为本发明第3实施例之BGA之各制造工程时之基板剖面图,第7图(a),(b)为表示第6图之工程所制造之BGA基板之金属镀层主要部分放大图,第8图(a)-(g)为本发明第4实施例之BGA之各制造工程时之基板剖面图,第9图为表示本发明第5实施例BGA基板之金属镀层主要部分放大剖面图,第10图(a)-(d)为以往之BGA之各制造工程时之基板剖面图,第11图为以往之BGA之全体剖面图,第12图为第11 |
