| 摘要 |
Использование: нанесение тонких покрытий в вакуумно-плазменной микроэлектронике. Сущность изобретения: улучшение качества покрытий за счет исключения влияния бомбардировки поверхностиосаждаемого покрытия вторичными электронами, эмитируемыми из мишени при ионно-лучевом распылении. Перед распылением мишени между мишеньюи подложкой формируют стационарное магнитное поле, параллельное поверхности мишени, величину которого выбирают из определенного соотношения
|
