Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung durch Abdecken einer leitenden Schicht mit einer Nitridschicht.,申请号DE1990611203T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung durch Abdecken einer leitenden Schicht mit einer Nitridschicht.
摘要
申请公布号	DE69011203(T2)	申请公布日期	1995.03.16
申请号	DE1990611203T	申请日期	1990.02.12
申请人	HEWLETT-PACKARD CO., PALO ALTO, CALIF., US	发明人	WANG, MARTIN S., FREMONT, CALIFORNIA 94539, US;CHIU, KUANG-YI, LOS ALTOS, CALIFORNIA, US
分类号	H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/318;H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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