发明名称 Composant optique actif semiconducteur à ruban.
摘要 <P>Une structure guidante (16, 18, 20, 22) de ce composant inclut une structure de cœur (18) s'étendant jusqu'à des faces de couplage (8, 10). Elle comporte au moins trois couches à haut indice (30, 34, 38) présentant des indices de réfraction accrus par rapport aux milieux environnants (16, 32, 36, 20) pour augmenter dans ces couches la densité de puissance d'une lumière devant subir un traitement tel qu'une modulation d'amplitude. Ces couches à haut indice ont des compositions leur permettant de réaliser ce traitement en réponse à une excitation électrique tout en ayant des épaisseurs supérieures à celles de puits quantiques. Elles sont séparées par des couches de dilution (32, 36) à indice de réfraction plus faible et à épaisseurs plus grandes telles qu'un seul mode de propagation de la lumière soit guidé par la structure guidante. Ce mode présente une épaisseur adaptée à un couplage à un élément optique externe tout en confinant une majorité de la puissance de la lumière dans l'épaisseur de la structure de cœur pour favoriser le traitement.</P>
申请公布号 FR2709566(A1) 申请公布日期 1995.03.10
申请号 FR19930010468 申请日期 1993.09.02
申请人 ALCATEL NV 发明人 VINCHANT JEAN-FRANCOIS;RENAUD MONIQUE;ERMAN MARKO
分类号 G02B6/12;G02B6/122;G02B6/30;G02F1/025 主分类号 G02B6/12
代理机构 代理人
主权项
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