发明名称 Verfahren zur Herstellung von epitaxial abgelagertem fehlerfreien Silizium.
摘要
申请公布号 DE3850843(T2) 申请公布日期 1995.03.09
申请号 DE19883850843T 申请日期 1988.09.13
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US 发明人 BEYER, KLAUS DIETRICH, NEW YORK 12601, US;LU-CHEN HSU, LOUIS, NEW-YORK 12524, US;SCHEPIS, DOMINIC JOSEPH, NEW-YORK 12590, US;SILVESTRI, VICTOR JOSEPH, NEW-YORK 12533, US
分类号 H01L21/205;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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