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发明名称 Verfahren für das Wachstum von epitaxialen Schichten.
摘要
申请公布号 DE68920853(D1) 申请公布日期 1995.03.09
申请号 DE1989620853 申请日期 1989.11.24
申请人 FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 FUJII, TOSHIO, ATSUGI-SHI KANAGAWA, 243-01, JP;SANDHU, ADARSH, YOKOHAMA-SHI KANAGAWA, 227, JP
分类号 H01L21/20;H01S5/223;H01S5/32;H01S5/323;(IPC1-7):H01L21/205;H01S3/19 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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