| 发明名称 | 辐射二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的二极管的特征是活性层(3A)组成为Al<SUB>X</SUB>G<SUB>a1-x</SUB>As且镀层(2，4)组成为Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>W</SUB>In<SUB>1-y-w</SUB>P<SUB>，</SUB>而活性层(3A)的铝含量(X)和厚度(d)使荧光发射波长在约770～690nm之间。这就使(激光)二极管能够覆盖从约880nm到600nm的整个可见光范围。它运行理想，具有高功率，且制造简单。优选活性层为量子阱层和阻挡层交替的(多)量子阱结构，两者都由AlGaAs构成，但铝含量不同。 | ||
| 申请公布号 | CN1099906A | 申请公布日期 | 1995.03.08 |
| 申请号 | CN94107236.3 | 申请日期 | 1994.06.24 |
| 申请人 | 菲利浦电子有限公司 | 发明人 | C·J·范德波艾尔;A·瓦尔斯特;H·P·M·M·安姆布修斯 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S3/19 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗宏;杨丽琴 |
| 主权项 | 1、一种以半导体主体组成的辐射半导体二极管，所述半导体主体具有第一导电类型的半导体基片(1)，在所述半导体基片(1)上有半导体层结构，所述半导体层结构按如下顺序包含至少：第一导电类型的第一镀层(2)、在可见光范围发射的活性层(3A)、与第一导电类型相反的第二导电类型的第二镀层(4)，而第一和第二镀层(2，4)上设有电连接装置(5，6，7，8)，所述辐射半导体二极管的特征为活性层(3A)由AlxGa1-xAs组成，镀层(2，4)由AlyGawIn1-y-wP组成，并且活性层(3A)的铝含量(x)和厚度(d)使其荧光发射的波长在约770nm～690nm之间。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||