MOS-controlled thyristor and method of making the same.,申请号EP19910117060-传众专利搜索

发明名称	MOS-controlled thyristor and method of making the same.
摘要
申请公布号	EP0480356(B1)	申请公布日期	1995.03.08
申请号	EP19910117060	申请日期	1991.10.07
申请人	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA	发明人	HAGINO, HIROYASU, C/O MITSUBISHI DENKI K. K.
分类号	H01L29/78;H01L21/331;H01L29/739;H01L29/745;(IPC1-7):H01L29/74	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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