A vertical isolated-collector transistor of the PNP type incorporating a device for suppressing the effects of parasitic junction components.,申请号EP19890100945-传众专利搜索

发明名称	A vertical isolated-collector transistor of the PNP type incorporating a device for suppressing the effects of parasitic junction components.
摘要
申请公布号	EP0327859(B1)	申请公布日期	1995.03.01
申请号	EP19890100945	申请日期	1989.01.20
申请人	SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L.	发明人	SILIGONI, MARCO;VILLA, FLAVIO
分类号	H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/08;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/72	主分类号	H01L21/331
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