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发明名称 Memory cell with improved single event upset rate reduction circuitry.
摘要
申请公布号 EP0357982(B1) 申请公布日期 1995.03.01
申请号 EP19890114653 申请日期 1989.08.08
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 发明人 BLAKE, TERENCE G. W.;HOUSTON, THEODORE W.
分类号 G11C5/00;G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/11;H03K3/286;(IPC1-7):G11C5/00;H03K3/356 主分类号 G11C5/00
代理机构 代理人
主权项
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