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发明名称 Ion implantation apparatus and method of controlling the same.
摘要
申请公布号 EP0398190(B1) 申请公布日期 1995.03.01
申请号 EP19900108941 申请日期 1990.05.11
申请人 NISSIN ELECTRIC COMPANY, LIMITED 发明人 NOGAMI, MAMORU;NAGAI, NOBUO
分类号 H01J37/317;H01L21/677;H01L21/68;(IPC1-7):H01J37/317;H01L21/00 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
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