Procédé de métallisation d'un circuit intégré.

摘要

Procédé de métallisation d'un circuit intégré consistant à fournir une couche isolante sur la surface d'un substrat de semi-conducteur, fournir au moins une ouverture pour contact à travers ladite couche isolante vers ledit substrat de semi-conducteur, déposer une couche métallique de connexion sur la surface dudit substrat et à l'intérieur de ladite ouverture pour contact dans laquelle la plus grande partie dudit métal de connexion est dépmosée sur le fond de ladite ouverture pour contact plutôt que sur les côtés de ladite ouverture; pulvériser à froid une couche métallique sur ladite couche métallique de connexion, et pulvériser à chaud une couche métallique sur ladite couche métallique pulvérisée à froid, dans lequel ladite pulvérisation à chaud et à froid sont des opérations continues pour réaliser ladite métallisation dudit circuit intégré.