发明名称 CIRCUIT DE COMMUTATION A TRANSISTOR ET SON PROCEDE D'UTILISATION
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UN CIRCUIT DE COMMUTATION A TRANSISTORS.</P><P>CE CIRCUIT COMPORTE UN TRANSISTOR DE SORTIE QUI EST AMENE A SATURATION AFIN DE PASSER RAPIDEMENT A L'ETAT PASSANT, ET QUI EST MAINTENU A L'ETAT SATURE PENDANT UNE PARTIE IMPORTANTE DE SON TEMPS DE CONDUCTION, AFIN DE CONSOMMER UN MINIMUM DE PUISSANCE. PEU DE TEMPS AVANT LE PASSAGE DU TRANSISTOR DE SORTIE A L'ETAT BLOQUE, UNE DIODE EST CONNECTEE ENTRE LA BASE ET LE COLLECTEUR DE CE TRANSISTOR, AFIN DE DERIVER UNE CERTAINE PARTIE DU COURANT DE BASE POUR QUE LE TRANSISTOR NE SOIT PLUS A L'ETAT SATURE, CE QUI PERMET D'ACCELERER LE PASSAGE A L'ETAT BLOQUE.</P><P>DOMAINE D'APPLICATION : CIRCUITS DE COMMUTATION A TRANSISTORS DE PUISSANCE.</P>
申请公布号 FR2437115(A1) 申请公布日期 1980.04.18
申请号 FR19790023436 申请日期 1979.09.20
申请人 EXXON RESEARCH ENGINEERING CY 发明人
分类号 H03K17/04;H03K17/0422;(IPC1-7):H03K17/60 主分类号 H03K17/04
代理机构 代理人
主权项
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