Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Schaltungsmaterial gefüllter Rille.,申请号DE19883851125T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Schaltungsmaterial gefüllter Rille.
摘要
申请公布号	DE3851125(T2)	申请公布日期	1995.02.23
申请号	DE19883851125T	申请日期	1988.10.21
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	YODA, TAKASHI, YOKOHAMA-SHI KANAGAWA-KEN, JP;WATANABE, TOHRU, YOKOHAMA-SHI KANAGAWA-KEN, JP
分类号	H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/31;C23F1/14	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
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