| 发明名称 | 氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法，其特征是以α-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和C粉末为原料，α-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含量为65～99.5％(体积百分数)，平均粒径为0.1～2μm，C含量为35～0.5％(体积百分数)，粒径为5～100nm。制成的纳米级复相陶瓷是导电的，其常温电阻率为0.1～1000ΩM。 | ||
| 申请公布号 | CN1099016A | 申请公布日期 | 1995.02.22 |
| 申请号 | CN94112086.4 | 申请日期 | 1994.03.26 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 高家化;沈志坚;丁子上 |
| 分类号 | C04B35/10;C04B35/64 | 主分类号 | C04B35/10 |
| 代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 连寿金 |
| 主权项 | 1、一种氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法，其特征在于：成分配比是含有65～99.5%(体积百分数)的α-Al2O3和35～0.5%(体积百分数)的C，其中α-Al2O3粉末的平均粒径为0.1～2μm，C粉末的粒径为5～100nm；经混匀后置于还原气氛或隋性气体保护的烧结炉内，加热至1500～1700℃，无压烧结2～6小时制成，或热压烧结0.5～2小时制成。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路20号 | ||