半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明之目的在于提供具备耐湿性好、输出光强的半导体发光器件。所述半导体发光器件由在出光面一侧设有含Al的结晶层15作为该半导体发光器件发光层的InGaAlP系混晶层12、13、14、15以及在结晶层15上淀积的含Al的克分子比不足50％或不含Al的III-V族结晶层16所构成。该含Al的克分子比不足50％或不含Al的III-V族结晶层16是用有机金属气相淀积法，同其它各层连续形成的。

主权项

1、一种半导体发光器件，在出光面一侧具有由含Al的克分子比在60%以上的高Al组成的结晶层，其特征在于：在前述的高Al结晶层上形成含Al的克分子比不足50%的导电性结晶层，或不含Al的导电性结晶层。