Dispositif de mémoire à semi-conducteurs comportant une structure de commande de lignes entrée/sortie à grande vitesse.

摘要

a) Dispositif de mémoire à semi-conducteurs comportant une structure de commande de lignes entrée/sortie à grande vitesse,
b) dispositif caractérisé par:
- un premier groupe d'un certain nombre de ces paires de lignes entrée/sortie commandées par l'excitation de l'un quelconque des signaux de sélection à l'intérieur du premier groupe;
- un second groupe d'un certain nombre de ces paires de lignes entrée/sortie commandées par l'excitation de l'un quelconque des signaux de sélection à l'intérieur du second groupe; et
- les paires de lignes entrée/sortie à l'intérieur du second groupe étant préchargées et égalisées lorsque les paires de lignes entrée/sortie à l'intérieur du premier groupe sont commandées.