| 发明名称 |
Nonvolatile semiconductor memory device and the manufacturing method therefor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2251123(B) |
申请公布日期 |
1995.02.15 |
| 申请号 |
GB19910010224 |
申请日期 |
1991.05.10 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
JEONG-HYEOK * CHOI;GEON-SU * KIM;YUN-SEONG * SIN |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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