发明名称 Protection d'un circuit intégré à l'encontre de surcharges électrostatiques.
摘要 <P>La présente invention concerne une structure de protection contre des surtensions électrostatiques des plots d'un circuit intégré à alimentations multiples, chaque alimentation étant connectée entre un plot à potentiel haut et un plot à potentiel bas. Chaque plot (P1, P2...) du circuit, y compris des plots d'alimentation (VDD1 , VDD2 ..., VSS1 , VSS2 ...), est connecté à l'anode d'une première diode (D1) dont la cathode est reliée à un premier rail conducteur (R1) et à la cathode d'une deuxième diode (D2) dont l'anode est reliée à un deuxième rail conducteur (R2). Un composant écrêteur unidirectionnel (Z) est relié par sa cathode au premier rail et par son anode au deuxième rail.</P>
申请公布号 FR2708788(A1) 申请公布日期 1995.02.10
申请号 FR19930009928 申请日期 1993.08.06
申请人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA 发明人 GENS MARC;JIMENEZ JEAN
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L27/02;H02H7/20 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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