| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von hochohmigem SiC aus einem niederohmigen Ausgangsmaterial. Sie besteht darin, daß die flachen Donatorniveaus einer vorherrschenden Stickstoff-Verunreinigung durch Zugabe eines dreiwertigen Elements überkompensiert werden, in dem diese Dotierung mit einer Konzentration in das SiC eingebaut wird, welche den Leitungstyp von n-auf p-Leitung ändert, und daß weiter ein Übergangselement, welches in SiC etwa in der Mitte von dessen Bandlücke Donatorniveaus aufweist, zugegeben wird, womit die überzähligen Akzeptorniveaus wiederum kompensiert werden, so daß ein hoher spezifischer Widerstand erzielt wird.</p> |
