| 摘要 |
<p>Procédé de traitement pour éliminer les particules de la surface de semi-conducteurs tels que des substrats ou des tranches de silicium. Le procédé recourt à des étapes alternées de croissance puis d'élimination de l'oxyde avec de préférence des étapes intercalaires de rinçage à l'eau purifiée. Les étapes de croissance de l'oxyde utilisent un oxydant et une base, p. ex. du peroxyde d'hydrogène (eau oxygénée) et de l'hydroxyde d'ammonium. Les étapes d'élimination de l'oxyde utilisent un agent éliminateur d'hydrogène approprié tel qu'un halogénure d'hydrogène, p. ex. du fluorure d'hydrogène, et sont limitées de façon à laisser un peu d'oxyde pour maintenir une surface hydrophile.</p> |
