| 发明名称 |
MOS TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH FIELD ELECTRODE LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0738108(A) |
申请公布日期 |
1995.02.07 |
| 申请号 |
JP19930201046 |
申请日期 |
1993.07.21 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
SAKAI TATSURO;YANAI TOSHIAKI;FUKUMITSU TAKAO;MATSUMOTO SATOSHI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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