Process for making an electric conducting point from doped silicon and application of the process for manufacturing components used in vacuum electronics.

摘要

Zur Herstellung einer elektrisch leitenden Spitze (7) aus dotiertem Silizium wird durch Molekularstrahlepitaxie aus dotiertem Silizium auf einem Substrat (1) aus monokristallinem Silizium innerhalb einer Öffnung (5) einer Maske die Spitze (7) aus dotiertem Silizium und auf der Oberfläche der Maske (4) eine dotierte Siliziumschicht (8) erzeugt. Die Spitze ist insbesondere als Feldemissionskathode für Bauelemente der Vakuumelektronik geeignet.