| 发明名称 |
INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0730111(A) |
申请公布日期 |
1995.01.31 |
| 申请号 |
JP19930175120 |
申请日期 |
1993.07.15 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
NAGASU MASAHIRO;TAKADA MASANORI |
| 分类号 |
H01L29/74;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/749;H01L29/78;H01L29/80;H01L29/808;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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