| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un composant incorporant une diode de protection en parallèle avec plusieurs paires de diodes de mêmes polarités, formé à partir d'un substrat semi-conducteur (1) de type N, comprenant des premières régions (P'i) de type P formées à la face supérieure du substrat; des deuxièmes régions (Ni) constituées de portions supérieures du substrat, dont les faces latérales sont délimitées par des murs d'isolement (2) de type P et dont les fonds correspondent à une troisième région (3) de type P; une quatrième région (4) de type P+ formée à partir de la face arrière dans la troisième région (3); une cinquième région (5) de type N+ sur la face arrière du substrat; des premières métallisations (Mi) reliant chacune des premières régions (P'i) à chacune des deuxièmes régions (Ni); et une deuxième métallisation (10) sur au moins une portion du mur d'isolement (2).</P> |
