| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication de transistors bipolaires avec émetteurs à l'arsenic, selon lequel une couche épitaxiale est masquée de manière à constituer des fenêtres définissant une zone de contact collectrice, une zone de base et une zone d'isolation. Des ions de phosphore sont introduits dans la couche épitaxiale par la fenêtre définissant la zone de contact collectrice, et des ions de bore sont introduits dans la couche épitaxiale par les fenêtres définissant la zone de base et la zone d'isolation. La couche épitaxiale est également masquée afin de constituer une fenêtre définissant une zone émettrice à l'intérieur de la zone de base, ainsi que d'autres fenêtres destinées à des connexions ohmiques avec la zone de base, la zone de contact collectrice et la zone d'isolation. Des ions d'arsenic sont ensuite introdiuts dans la couche épitaxiale par la fenêtre définissant la région d'émission, et des connexions électriques sont établies avec la zone d'émission, la zone de base, la zone collectrice et la zone d'isolation par les fenêtres destinées aux connexions ohmiques.</p> |
