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Zur Herstellung eines Grabens (6) in einem Substrat, das mindestens eine erste Siliziumschicht (3), eine isolierende Schicht (2) und eine zweite Siliziumschicht (1) umfaßt, wird unter Verwendung einer Grabenmaske (4) eine erste Grabenätzung durch die erste Siliziumschicht (3) bis auf die isolierende Schicht (2) durchgeführt. Nach Verstärkung der Grabenmaske (4) durch eine nicht konform abgeschiedene Schutzschicht (7) wird in einer zweiten Grabenätzung die isolierende Schicht (2) bis auf die zweite Siliziumschicht (1) durchgeätzt. Das Verfahren ist insbesondere geeignet zur Herstellung von Isolationsgräben mit integrierter Substratkontaktierung für Smart-Power-Technologie auf einem SOI-Substrat. <IMAGE>
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