Method of producing a strip-buried semiconductor laser using dry etching to form this strip and a laser obtained by this method.,申请号EP19920400465-传众专利搜索

发明名称	Method of producing a strip-buried semiconductor laser using dry etching to form this strip and a laser obtained by this method.
摘要
申请公布号	EP0501862(B1)	申请公布日期	1995.01.25
申请号	EP19920400465	申请日期	1992.02.24
申请人	FRANCE TELECOM	发明人	BOUADMA, NOUREDINE
分类号	H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L33/00;H01S5/00;H01S5/042;H01S5/227;(IPC1-7):H01S3/19	主分类号	H01L21/302
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