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<P>Un circuit de commande de ligne de mots à utiliser dans un dispositif de mémoire à semi-conducteur comporte un transistor de tirage vers le haut (M2) ayant un nœud de grille connecté à un signal de décodage de rangées (Xd) à travers un transistor de transfert (M1), et étant connecté entre la ligne de mots et un signal de commande de ligne de mots ayant une tension prescrite, et un circuit pour fournir un signal d'amplification de transfert généré en réponse à un signal de commande prescrit à la grille du transistor de transfert (M1), de manière à précharger le nœud de grille (N1) à une tension supérieure au moins à une tension de puissance, au moins avant et après que le signal de commande de ligne de mots soit activé.</P>
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