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1.一种制造低模板型格脉的矽石之方法,其特征为: 对含 有矽酸盐的硷性含水介质中进行热处理,且该含有 矽酸盐 的硷性含水介质包含经过磨细的格脉矽石晶体及 少量的模 板分子,该模板分子系一部分或全部都存在于经过 磨细的 格脉矽石晶体中,相对于介质中的SiOC_2C的莫耳数 而言 ,格脉矽石内的模板分子含量低于2莫耳。2.如申请 专利范围第1或2项之方法,其中,以矽石之重 量计,经过磨细的格脉矽石晶体的量介于0.05和0.2 重量 之间。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中,所 用的模板 是1-金钢胺(1-adamantylamine)、氮杂二环壬基碘( azabicyclononanium iodide)和/或啶。4.如申请专利范围 第1或2项之方法,其中,相对于以 SiOC_2C之莫耳数而言,介质中含有15至45倍的NHC_3C和 40至70倍的HC_2CO。5.如申请专利范围第1或2项之方 法,其中,介质以实质 上是线性的方式加热至最终温度,加热速率介于0.1 和20K /分钟之间,最终温度介于400和480K之间。6.如申请 专利范围第1项之方法,其中所述低模板型格脉 矽石为低模板型1H结构型格脉矽石。7.如申请专利 范围第1或6项之方法,其中该低模板型格 脉矽石在温度为12K、氦气压为0.5巴的情况下,对于 的氦 气的吸收力为至少20克(He)/立方公分(格脉矽石)。8 .如申请专利范围第1或6项之方法,其中该低模板型 格 |
