| 摘要 |
<p>Gemäß der Erfindung wird für einen insbesondere bei hohen Temperaturen von wenigstens 800 °C einsetzbaren Temperatursensor die Temperaturabhängigkeit der Raumladungszone (8) eines p-n-Übergangs mit einem Halbleiter mit einem Bandabstand größer als 2 eV ausgenutzt. Die Größe dieser Raumladungszone bestimmt die Stromtragfähigkeit eines n- oder p-leitenden Kanals (4) zwischen einer Source-Elektrode (S) und einer Drain-Elektrode (D). Der Source-Drain-Strom (ISD) kann somit als eindeutiges Maß für die Temperatur herangezogen werden. Vorzugsweise wird der Temperatursensor zum Messen der Temperatur eines Hochtemperatur- oder Leistungsbauelements eingesetzt und wird dazu mit diesem Halbleiterbauelement auf ein Substrat (2) monolithisch integriert.</p> |
