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发明名称 PROCEDIMENTO DI ISOLAMENTO DI ELEMENTI DI UN DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORI.
摘要
申请公布号 IT1248545(B) 申请公布日期 1995.01.19
申请号 IT1991MI01743 申请日期 1991.06.25
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHO HYEON-JIN;YANG SOO-GIL
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/763;(IPC1-7):H01L 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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