Verfahren zur Herstellung eines monolithischen Halbleiterbauelementes mit epitaxischer Mehrschichtstruktur und geringer Konzentration an Verunreinigungen.
摘要
申请公布号
DE3852362(D1)
申请公布日期
1995.01.19
申请号
DE19883852362
申请日期
1988.08.30
申请人
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.P.A., CATANIA, IT
发明人
MUSUMECI, SALVATORE, I-95018 RIPOSTO CT, IT;ZAMBRANO, RAFFAELE, I-84085 MERCATO S. SEVERINO SA, IT
