| 主权项 |
1.一种半导体电热膜之制法,主要经由下列各步骤原料调制:主要系以金、银、铟、锡、钒等金属化合物或其有机化合物、硒化物、磷化物、硫化物等为主体,其在过程时适量的添加入锑、铁、氟等之化合物为掺杂剂调制,其用量为重量之1-;材料调合:将上述拌合均匀的原料,以一定比例与介质材料做均匀的混合,其介质混合的数量为重量20-;基材清理:将被披覆的基材,先经检视及经净化软水予以清洗表面(披覆之面)乾净,并使其烘乾妥当;高温雾化成长:将清理妥当的受热基材置入一高温炉室中,高温加热使基材的表面产生活化的现象,再将本发明中调合妥当的流体材料,经空气混合定量喷入到该高温的炉室中,使导电材料流体喷入后立即雾化分解成雾气状之带电位离子,而均匀披覆于基材的表面,或直接喷附于已活化之基材表面,与基材一体形成一半导电性发热薄膜者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体电热膜之制法,其中介质材料可以水、甲醇、盐酸、乙醇、乙胺、三乙胺--等等,供与原料予相互均匀混合调制成一流体材料者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体电热膜之制法,其中之基材为可供发热之任何预先成形元件者。4.如申请专利范围第1项或第3项所述之半导体电热膜之制法,其中基材之材料可由石英、玻璃、陶瓷、云母、可耐高温塑料等低膨胀系数之材质者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体电热膜之制法,其中雾化成长之温度在400-850℃高温,所需时间为10-30分钟者。6.如申请专利范围第1项所述之半导体电热膜之制法,其中雾化时需与空气混合,使氧化还原能充分进行,带电位之金属离子与金属氧化物完整均匀披覆于基材的表面,并随雾化时间及喷入的半导体材料的数量,使半导体的材料得以呈一种自然成长的现象,与基材表面一体附着者。7.如申请专利范围第1项所述之半导体电热膜之制法,其中雾化成长披覆厚度为3-300mm间。第一图:系本发明之制造流程简图。第二图:系本发明之样品测试平面示意图。第三图:系本发明蜂巢状样品之结构外观参考图。第四图:系本发明输出功率与温度关系之测试图表。第五 |
