| 主权项 |
1.一种由可能亦含有氢离子及/或螫合剂之多离子 源溶液 中浓缩、移除及分离所需离子之方法,包括,(a)将 具第 一体积之多离子源溶液与一如下式之硫醇及/或硫 醚芳香 基含氮配合体固态承体化合物接触之:其中(i)A及B 系 分别选自包括NR、N(R)CHC_2C、S及SCHC_3C之族群;(ii) D系选自包括S及SCHC_2C之族群;(iii)E系选自包括SH 及H之族群;(iv)R为一芳烷基,其中芳香族羟基部分 系 选自包括苯基、基、啶基、及其取代衍生物 之族群, 而烷基部分为恰有1至3个碳原子之族群;(v)RC^2C系 分 别选自包括H、SH、OH、较低级烷基、及芳香族羟 基之族 群,其中芳香族羟基系选自包括苯基、基、啶 基、及 其取代衍生物之族群;(vi)c为由1至大约10之整数;( vii)d及e分别为由0至大约10之整数;具下列条件,当 A为S或SCHC_2C时,d为由1至10之整数,且至少有一 个B为NR或N(R)CHC_2C,当A为NR或N(R)CHC_2C时,在下 列子条件下e为0:当d为0,E为SH时;当E为H,d 为1-10之整数且至少有一个B为S或SCHC_2C时;(viii )X为一间隔板群,选自包括(CHC_2C)C_aC(OCHC_2CCHRC^ 1CCHC_2C)C_bC或芳烷基之族群:其中:(a)R1系选自包括 H、SH、OH、较低级烷基、及芳香族羟基之族群,其 中芳 香族羟基系选自包括苯基、基、啶基及其取 代衍生物 之族群;(b)a为由3至大约10之整数;(c)b为0或1之 整数;(d)芳烷基为一族群,其中芳香族羟基部分系 选自 包括苯基、基、啶基及其取代衍生物之族群, 而烷基 部分含有1至6个碳原子;(ix)Y及Z系分别选自包括C1 、Br、I、烷基、烷氧基、被取代之烷基或被取代 之烷氧 基及0-基质之族群;及(x)基质则系选自包括砂、矽 胶 、玻璃、玻璃纤维、矾土、氧化锆、氧化钛及氧 化镍或其 他亲水性无机承体及其混合物之族群;(b)将源溶液 自己 与所称所需离子错合之所称化合物由接触状态移 除;及(c )将与所需离子错合之所称化合物与一体积远小于 所称第 一体积,对所称所需离子之亲合力大于所称化合物 或对所 称化合物之亲合力大于所称所需离子,之接收溶液 接触, 因而切断所称化合物与所称所需离子间之错合,而 以浓缩 形式将所需离子回收于所称较小体积之所称接收 溶液中。 (d)欲分离之所需离子系选自包括PdC^4+C、PdC^2+C、 PtC ^4+C、PtC^2+C、RuC^3+C、RuC^2+C、DsC4+C、CuC^+ C 、CuC^2+ C、AuC^3+C、AuC^+ C、AgC^+ C、及HgC^2+ C 之族群。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 X为方程式为 (CHC_2C)C_aC(OCHC_2CCHRC^1CCHC_2C)C_bC之间隔板群。3.如申 请专利范围第3项所述之方法,其中R为甲苯基。4. 如申请专利范围第3项所述之方法,其中X为环氧丙 醇 氧基烷基。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其 中X为3-环氧 丙醇氧基丙基。6.如申请专利范围第5项所述之方 法,其中E为SH。7.如申请专利范围第6项所述之方法 ,其中RC^2C为H。8.如申请专利范围第7项所述之方法 ,其中d为一由1至 10之整数、A系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N(CHC_2CC C_6CHC_5C)CHC_2C之族群,B系选自包括S及SCHC_2C之 族群。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中A 为NCHC_2CC C_6CHC_5C,C为1,B为S,且d为3。10.如申请专利范围第7项 所述之方法,其中d为一由1 至10之整数、e为0,A系选自包括S或SCHC_2C之族群 ,且至少有一个B系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N(CHC _2CCC_6CHC_5C)CHC_2C之族群。11.如申请专利范围第7项 所述之方法,其中d与e分别 为一由一1至10之整数、A及D系选自包括S或SCHC_2C 之族群,至少一个B系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N( CHC_2CCC_6CHC_5C)CHC_2C之族群。12.如申请专利范围第11 项所述之方法,其中A为S,c为 2,B为NCHC_2CCC_6CHC_5C,d为1,D为S,且e为 1。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中d与e 分别 为0,而A系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N(CHC_2CCC_ 6CHC_5C)CHC_2C之族群。14.如申请专利范围第13项所述 之方法,其中A为NCHC_2C CC_6CHC_5C,而C为1。15.如申请专利范围第2项所述之 方法,其中所称化合物 系包含于一填充管柱中,其中所称多离子源溶液首 先系流 过所称填充管柱,使得以形成所称所需离离子与所 称化合 物之错合物,再将所称所需离子自所称化合物切断 ,并使 所称接收溶液通过所称填充管柱以由所称管柱移 除所称所 需离子,而以浓缩形式将所称所需离子回收于所称 接收溶 液中。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中 所称接收溶 液为具有可使所需离子由所称化合物断裂之性质 之任何溶 液。17.如申请专利范围第2项所述之方法,其中一 选自包括 Pt、Pd、Au、Ag、Os、Cu、及Ru之所需离子系分离自 还包 括一选自包括Rh及Ir之族群之无需离子之多离子源 溶液。18.如申请专利范围第2项所述之方法,其中 一选自包括 Pt、Pd、Au、Ag、及Ru之所需离子系分离自还包括大 量硷 性金属之多离子源溶液。19.如申请专利范围第2项 所述之方法,其中一选自包括 Cu或Hg之所需离子系分离自毒性废弃物。20.一种如 下式之硫醇及/或硫醚芳香基含氮配合体固态 承体化合物:其中(i)A及B系分别选自包括NR、N(R)CHC _2C、S、及SCHC_2C之族群;(ii)D系选自包括S及SCHC _2C之族群;(iii)E系选自包括SH及H之族群;(iv)R为 一芳烷基,其中芳香族羟基部分系选自包括苯基、 基、 啶基、及其取代衍生物之族群,而烷基部分为含 有1至 3个碳原子之族群;(v)RC^2C系分别选自包括H、SH、 OH、较低级烷基、及芳香族羟基之族群,其中芳香 族羟基 系选自包括苯基、基、啶基、及其取代衍生 物之族群 ;(vi)c为由1至大约10之整数;(vii)d及e分别为由0 至大约10之整数;其条件为,当A为S或SCHC_2C时,d 为由1至10之整数,且至少有一个B为NR或N(R)CHC_2C; 及当A为NR或N(R)CHC_2C时,在下列子条件下e为0;当 d为0,E为SH时;及当E为H,d为1-10之整数且至 少有一个B为S或SCHC_2C时;(viii)X为一间隔板群, 选自含有(CHC_2C)C_aC(OCHC_2CCHRC^1CCHC_2C)C_bC或芳 烷基之族群:其中:(a)R1系选自包括H、SH、OH、较低 级烷基、及芳香族羟基之族群,其中芳香族羟基系 选自包 括苯基、基、啶基及其取代衍生物之族群;(b) a为 由3至大约10之整数;(c)b为0或1之整数;(d)芳烷基 为一族群,其中芳香族羟基系选自包括苯基、基 、啶 基及其取代衍生物之族群,而烷基部分含有1至6个 碳原 子;(ix)Y及Z系分别选自包括C1.Br、I、烷基、烷氧 基、被取代之烷基或被取代之烷氧基及0-基质之 族群; (x)基质则系选自包括砂、矽胶、玻璃、玻璃纤维 、矾土 、氧化锆、氧化钛及氧化镍或其他亲水性无机承 体及其混 合物之族群。21.如申请专利范围第20项所述之化 合物,其中X为一具 方程式(CHC_2C)C_aC(OCHC_2C CHRC^1CCHC_2C)C_bC之间 隔板群。22.如申请专利范围第21项所述之化合物, 其中R为甲苯 基。23.如申请专利范围第22项所述之化合物,其中X 为一环 氧丙醇氧基烷基族群。24.如申请专利范围第23项 所述之化合物,其中X为3- 环氧丙醇氧基丙基。25.如申请专利范围第24项所 述之化合物,其中E为SH。26.如申请专利范围第25项 所述之化合物,其中RC^2C为 H。27.如申请专利范围第26项所述之化合物,其中d 为一由 1至10之整数、e为0,A系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5 C或N(CHC_2CCC_6CHC_5C)CHC_2C之族群,B系选自包括S 及SCHC_2C之族群。28.如申请专利范围第27项所述之 化合物,其中A为NCHC_ 2CCC_6CHC_5C,C为1,B为S,且d为3。29.如申请专利范围第 26项所述之化合物,其中d为一由 1至10之整数,e为0,A系选自包括S或SCHC_2C之族 群,且至少有一个B系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N( CHC_2CCC_6CHC_5C)CHC_2C之族群。30.如申请专利范围第26 项所述之化合物,其中d与e分 别为一由1至10之整数、A及D系选自包括S或SCHC_2C 之族群,至少一个B系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N( CHC_2C CC_6CHC_5C)CHC_2C之族群。31.如申请专利范围第 30项所述之化合物,其中A为S,c 为2,B为NCHC_2CCC_6CH C_5C,d为1,D为S,且e 为1。32.如申请专利范围第26项所述之化合物,其中 d与e分 别为0,而A系选自包括NCHC_2CCC_6CHC_5C或N(CHC_2CC C_6CHC_5C)CHC_2C之族群。33.如申请专利范围第32项所 述之化合物,其中A为NCHC_ |
