| 主权项 |
1.一种图型形成方法,包括:使半导体基底的表面进 行表 面处理以赋予氢原子;以能量射线照射该表面的所 需区域 ;在所需区域外的非照射区上选择性形成金属膜, 使用该 金属膜做为罩,蚀刻该半导体基底。2.一种图型形 成方法,包括:在具有绝缘表面的基底上形 成半导体膜;使半导体膜的表面进行表面处理以赋 予氢原 子;以能量射线照射该表面的所需区域;在所需区 域外的 非照射区上选择性形成金属膜;使用该金属膜做为 罩,蚀 刻该绝缘表面的表面。3.如申请专利范围第1或2项 的图型形成方法,其中使用 氢氟酸来应用该表面处理。4.如申请专利范围第1 或2项的图型形成方法,其中该能 量射线是电子束,离子束或紫外线。5.如申请专利 范围第1或2项的图型形成方法,其中该金 属膜由化学蒸气沈淀所形成。6.如申请专利范围 第1或2项的图型形成方法,其中该金 属膜由使用有机金属化合物做为原料来进行的化 学蒸气沈 淀所形成。7.如申请专利范围第1或2项的图型形成 方法,其中该金 属膜由使用氢化烷基铝的化学蒸气沈淀所形成。8 .如申请专利范围第1或2项的图型形成方法,其中该 蚀 刻是各向异性蚀刻。9.如申请专利范围第1或2项的 图型形成方法,其中该金 属膜由使用氢化二甲基铝的化学蒸气沈淀所形成 。10.一种图型形成方法,包括:在透光基底上形成 筛光薄 膜;使该薄膜的表面进行表面处理以赋予氢原子; 以能量 射线照射该薄膜之该表面的所需区域;在所需区域 外的非 照射区上选择性形成金属膜;使用该金属膜做为罩 ,蚀刻 该薄膜。11.如申请专利范围第10项的图型形成方 法,其中进一步 除去该金属膜。12.如申请专利范围第10项的图型 形成方法,其中该透光 基底包括石英。13.如申请专利范围第10项的图型 形成方法,其中该薄膜 主要由矽组成。14.如申请专利范围第10项的图型 形成方法,其中该金属 膜主要由铝组成。15.如申请专利范围第10项的图 型形成方法,其中该金属 膜由化学蒸气沈淀所形成。16.如申请专利范围第 10项的图型形成方法,其中该金属 膜由使用有机金属化合物来进行的化学蒸气沈淀 所形成。17.如申请专利范围第10项的图型形成方 法,其中该金属 膜由使用氢化烷基铝的化学蒸气沈淀所形成。18. 如申请专利范围第10项的图型形成方法,其中该金 属 膜由使用氢化二甲基铝的化学蒸气沈淀所形成。 19.如申请专利范围第10项的图型形成方法,其中该 表面 处理包括:利用含有氟原子之气体或氢氟酸水溶液 的洗涤 步骤,使用纯水的洗涤步骤,乾燥步骤。20.如申请 专利范围第10项的图型形成方法,其中该筛光 薄膜包括多个膜。21.如申请专利范围第10项的图 型形成方法,其中该筛光 薄膜包括多个膜,最上面的膜主要由矽组成。22.一 种制造半导体装置的方法,包括使用如申请专利范 围第1项的图型形成方法来制造半导体装置。23.一 种制造半导体装置的方法,包括使用如申请专利范 围第2项的图型形成方法来制造半导体装置。24.一 种制备光罩的方法,包括使用如申请专利范围第10 项的图型形成方法来制备光罩。25.一种制备光罩 的方法,包括:使基底表面进行表面处 理以赋予氢原子;以能量射线选择性照射该表面的 所需区 域;在所需区域外的非照射区上选择性形成薄膜; 使该薄 膜进行化学变化而转变成透光薄膜。26.如申请专 利范围第25项之制备光罩的方法,其中使用 氢氟酸来应用该表面处理。27.如申请专利范围第 25项之制备光罩的方法,其中该能 量射线是电子束或离子束。28.如申请专利范围第 25项之制备光罩的方法,其中该薄 膜包括铝。29.如申请专利范围第25项之制备光罩 的方法,其中该基 底是具有形成于表面上之筛光膜的透光基底。30. 如申请专利范围第25项之制备光罩的方法,其中该 薄 膜由化学蒸气沈淀所形成。31.如申请专利范围第 30项之制备光罩的方法,其中使用 有机金属化合物做为原料来进行该化学蒸气沈淀 。32.如申请专利范围第31项之制备光罩的方法,其 中该有 机金属化合物包括氢化烷基铝。33.如申请专利范 围第32项之制备光罩的方法,其中该氢 化烷基铝是氢化二甲基铝。34.如申请专利范围第 25项之制备光罩的方法,其中该化 学变化是氧化。35.如申请专利范围第25项之制备 光罩的方法,其中该透 光薄膜是氧化铝。图1A至1F显示本发明第一例的图 型形成 方法。图2A至2E显示本发明第二例的图型形成方法 。图3A 至3E显示本发明第三例的图型形成方法。图4A至4F 显示本 发明第四例的图型形成方法。图5A至5G显示本发明 第五例 的图型形成方法。图6A至6I显示本发明第六例的图 型形成 方法。图7A至7D显示本发明第七例的图型形成方法 。图8A |
