| 主权项 |
1. 一种处理半导体晶圆之系统,包含 : 一抛光站;及 一刷洗站,系联结于抛光站。2. 如申请专利范围第 1项之系统,其中刷洗站包含一刷 具刷洗站。3. 如申请专利范围第1项之系统,其中 抛光站同时抛光 一晶圆之相对侧。4. 如申请专利范围第1项之系统 ,其中抛光站同时抛光 一晶圆之相对侧,且在晶圆由抛光站完成抛光后刷 洗站即 同时进行晶圆相对侧之刷洗。5. 如申请专利范围 第1项之系统,其中抛光站系可建构 成另一刷洗站。6. 如申请专利范围第5项之系统, 其中另一刷洗站包含 一刷具刷洗站。7. 如申请专利范围第1项之系统, 其中抛光站包含由一 第一总成定位之至少一抛光元件,及刷洗站包含由 一第二 总成定位之至少一刷洗元件,及进一步其中第一、 二总成 之部份系大致相同。8. 如申请专利范围第7项之系 统,其中第一总成系以一 大约0.1至4 psi压力范围定位该至少一抛光元件于 一晶圆 之一表面上。9. 如申请专利范围第7项之系统,其 中抛光站进一步包 含一晶圆定位总成,系以一大约40-120尺/分速度范 围转 动抛光元件。10. 如申请专利范围第1项之系统,其 中抛光站以一大 约0.1至4 psi压力范围施加至少一抛光元件于晶圆 之一表 面上,而以一大约40至120尺/分速度范围转动抛光元 件。11. 一种处理半导体晶圆之方法,包含: 在一系统之一第一站中抛光一晶圆; 抛光后在系统中转移晶圆至之一第二站;及 随着系统中之第一站后,在第二站中以刷具刷洗晶 圆。12. 如申请专利范围第11项之方法,其中抛光晶 圆之步 骤包含同时抛光晶圆之复数侧。13. 如申请专利范 围第12项之方法,其晶圆之复数侧包 含晶圆之相对侧。14. 如申请专利范围第11项之方 法,其中抛光晶圆之步 骤包含以一大约0.1至4 psi压力范围施加一抛光元 件于晶 圆之一表面上。15. 如申请专利范围第14项之方法, 其中抛光步骤进一 步包含当施加抛光元件时以一大约40至120尺/分速 度范围 转动抛光元件(BE)。16. 如申请专利范围第14项之方 法,其中压力包含一下 压力。17.一种处理半导体晶圆之系统改良,其改良 处包含: 一总成,系可以复数压力施加一处理元件于一半导 体晶 圆,压力包括一第一组压力而足以刷洗一半导体晶 圆,及 一第二组压力而足以抛光半导体晶圆。18. 如申请 专利范围第17项之改良,其中处理元件包含 一垫片。19. 如申请专利范围第17项之改良,其中处 理元件包含 一刷具。20.一种抛光一半导体晶圆之系统,包含: 一容器; 一第一垫片,系联结于容器以利抛光晶圆之一第一 侧; 一第二垫片,用于抛光晶圆之一第二侧; 一垫片定位总成,系联结于容器与第二垫片,以利 相关 于晶圆而定位第二垫片,而可利用第一、二垫片同 时抛光 晶圆之二侧。 |
