| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BIPOLAR TRANSISTOR TO BE FORMED IN LAYER OF SEMICONDUCTOR MATERIAL PROVIDED ON INSULATED BASE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH077012(A) |
申请公布日期 |
1995.01.10 |
| 申请号 |
JP19940095663 |
申请日期 |
1994.04.07 |
| 申请人 |
PHILIPS ELECTRON NV |
发明人 |
HENRIKASU GODEFURIDASU RAFUAERU MAASU;RONARUDO DETSUKAA;ARUMANDO PURUEIMUBUUMU |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/735;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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