发明名称 石英坩锅之原料装填装置及原料装填方法
摘要 [课题]本发明提供一种在由CZ法制造矽单结晶的作业中,石英坩埚之原料装填装置及原料装填方法。根据本发明,原料(多结晶矽)可被迅速地且自动地被装填入石英坩埚。又可避免在原料装填时对石英坩埚造成损伤。[解决方法]在一保护片(15)被覆在一内径小于石英坩埚(10)的容器(3)的侧面内壁后,多结晶矽(17)的既定量从装填装置(6)被装填入容器(3);然后容器(3)被纯水充满之后冻结成冰块(22);之后冰块(22)从容器(3)被吊起;之后保护片(15)从冰块(22)剥下且冰块(22)被装填入石英坩埚(10)。然后冰块(22)被融解且石英坩埚(10)和多结晶矽被乾燥。上述操作由搬送装置(1)施行。
申请公布号 TW473567 申请公布日期 2002.01.21
申请号 TW087113075 申请日期 1998.08.07
申请人 小松电子金属股份有限公司 发明人 八吉文
分类号 C30B35/00 主分类号 C30B35/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼;颜锦顺 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 2.如申请专利范围第1项所述的石英坩埚之原料装填装置,其中具有在该容器(3)的侧面内壁上被覆一保护片(15)的装置(4)。3.如申请专利范围第1项所述的石英坩埚之原料装填装置,其中该容器(3)、该装填多结晶矽块(17)的装置(6)、以及该保护片(15)的比重小于1。4.如申请专利范围第2项所述的石英坩埚之原料装填装置,其中该容器(3)、该装填多结晶矽块(17)的装置(6)、以及该保护片(15)的比重小于1。5.如申请专利范围第1项所述的石英坩埚之原料装填装置,其中具有在供给多结晶矽块时回转该容器(3)的装置(14)和在一所定范围内昇降和在水平方向上往复移动该供给装置(6)的装置。6.如申请专利范围第2项所述的石英坩埚之原料装填装置,其中设置在该容器(3)的整个内壁面上被覆由纯水所形成的冰桶(25)的被覆装置(24),以取代被覆该保护片(15)在该容器(3)的侧面内壁上的被覆装置。7.一种石英坩埚之原料装填方法,其特征在于:在由CZ法制造矽单结晶前,在装填多结晶矽块入该石英坩埚的过程中,多结晶矽(17)的既定量被装填入该石英坩埚(10)以外的容器(3),并将纯水充满该容器(3)而冻结之后,将从该容器(3)中取出的一或复数个由多结晶矽和纯水制成的冰块(22)装填入该石英坩埚(10),进而融解并乾燥。8.如申请专利范围第7项所述的石英坩埚之原料装填方法,其中以保护片(15)被覆该容器(3)的侧面内壁之后,既定量的多结晶矽(17)被装填入该容器(3),并将纯水充满该容器(3)而冻结,然后从该容器(3)中取出,而从由多结晶矽和纯水制成的冰块(22)移除该保护片(15),进而该冰块(22)被装填入该石英坩埚(10)。9.如申请专利范围第7项所述的石英坩埚之原料装填方法,其中在插入由纯水制成的冰桶(25)至该容器(3)后,既定量的多结晶矽(17)被装填入该容器(3),并将纯水充满该容器(3)而冻结之后,从该容器(3)中取出,而将由多结晶矽和纯水制成的冰块(22)装填入该石英坩埚(10)。图式简单说明:第1图是第一实施例的原料装填装置的构成中主要设备的图示;第2图是保护片的立体图;第3图是装填多结晶矽入容器的状态的说明图;第4图是洗净装填入容器的多结晶矽的状态的说明图;第5图是悬吊环的立体图;第6图是在结冻过程前,容器状态的说明图;第7图是在装填包含多结晶矽块的冰块入石英坩埚前的状态的说明图;第8图是洗净装填入石英坩埚的多结晶矽的状态的说明图;第9图是根据第三实施例的原料装填装置,装填冰桶入容器的状态的说明图;以及第10图是在原料装填的最终阶段,装填方法的说明图。
地址 日本
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