| 主权项 |
1.一种用于化学气相沈积系统的屏蔽总成,该屏蔽总成包括:(a)复数个屏蔽体,每一个屏蔽体具有一屏以及其上具有一排孔的导管,用以输送屏蔽气体通过屏;以及(b)复数条气流路径,至少一条气流路径耦合到每一条导管,用以供应屏蔽气体给导管,以及(c)在复数条气流路径之每一条中的限流器,限流器具有一限流器口,截面积A限流器口经过调整,以使复数个屏蔽体中的每一个能供应实质上均等的屏蔽气体气流。2.如申请专利范围第1项的屏蔽总成,其中复数条气流路径从单一的屏蔽气体供应源供应屏蔽气体给导管,且其中的限流器口经过调整,以使复数个屏蔽体中的每一个都提供实质上固定的屏蔽气体气流,即使来自屏蔽气体供应源之屏蔽气体的气流或压力改变。3.如申请专利范围第1项的屏蔽总成,其中每一条导管上之孔的总截面积为(A孔)以及与导管相关之气流路径的截面积为(A气流路径),且其中A限流器口<A孔<A气流路径。4.如申请专利范围第1项的屏蔽总成,其中,所有气流路径中之限流器之限流器口之截面积的和(总A限流器口)小于所有导管之孔之截面积的和(总A孔),且其中总A孔小于所有气流路径之截面积的和(总A气流路径)。5.一种气体分配系统,用在处理基底的沈积室中分配气体,气体分配系统包括:(a)处理气体注射器,将处理气体引入沈积室;(b)屏蔽总成,具有复数个毗邻处理气体注射器的屏蔽体,用以减少处理所产生的副产品沈积于其上,每一个屏蔽体具有一屏以及其上具有一排孔的导管,用以输送屏蔽气体通过屏;以及(c)复数条气流路径,至少一条气流路径耦合到每一条导管,用以供应屏蔽气体给导管,以及(d)在复数条气流路径之每一条中的限流器,限流器具有一截面积为A限流器口的口。6.一种用以处理基底的化学气相沈积系统,该系统包括:(a)沈积室,基底在其内处理;(b)处理气体注射器,将处理气体引入沈积室以处理基底;(c)屏蔽总成,具有复数个毗邻处理气体注射器的屏蔽体,用以减少处理所产生的副产品沈积于其上,每一个屏蔽体具有一屏以及其上具有一排孔的导管,用以输送屏蔽气体通过屏;以及(d)复数条气流路径,至少一条气流路径耦合到每一条导管,用以供应屏蔽气体给导管,以及(e)用以使复数个屏蔽体之每一个提供实质均等之屏蔽气体气流的装置;以及(f)沈积室内的排气系统,具有至少一个排气口,以从其中排出气体及副产品。7.如申请专利范围第6项的系统,其中使每一导管提供实质均等之屏蔽气体气流的装置包括复数条气流路径之每一条中的限流器,限流器具有一口,且截面积(A气流路径)经过调整,以使复数个屏蔽体中的每一个都提供实质上均等的屏蔽气体气流。8.如申请专利范围第5或7项的系统,其中每一条导管上之孔的总截面积为(A孔)及与导管相关之气流路径的截面积为(A气流路径),且其中A限流器口<A孔<A气流路径。9.如申请专利范围第5或7项的系统,其中,所有气流路径中之限流器之限流器口之截面积的和(总A限流器口)小于所有导管之孔之截面积的和(总A孔),且其中总A孔小于所有气流路径之截面积的和(总A气流路径)。10.一种操作化学气相沈积系统处理基底的方法,该方法的步骤包括:(a)毗邻处理气体注射器配置包括复数个屏蔽体的屏蔽总成,以减少沈积于其上的处理副产品,每一个屏蔽体具有一屏以及其上具有一排孔的导管,用以输送屏蔽气体通过屏,以减少沈积于其上的处理副产品;(b)经由复数条气流路径供应屏蔽气体给导管;(c)配置于每一气流路径中的限流器限制通过复数条气流路径之屏蔽气体的气流,限流器具有一口,该口的截面积(A限流器口)经过调整,以使复数个屏蔽体中的每一个能供应实质上均等的屏蔽气体气流;(d)将基底置入沈积室;以及(e)经由处理气体注射器将处理气体引入沈积室以处理基底。11.如申请专利范围第10项的方法,其中每一条导管上之孔的总截面积为(A孔),且其中步骤(b)包括经由截面积(A气流路径)经过调整以使A孔<A气流路径之气流路径供应屏蔽气体的步骤,其中步骤(c)包括提供一限流器,限流器的口经过调整,以使A限流器口<A孔<A气流路径的步骤。12.如申请专利范围第11项的方法,其中步骤(b)包括经由总截面积经过调整以使总A气流路径/总A孔≧1之气流路径供应屏蔽气体的步骤,其中步骤(c)包括提供一限流器,限流器的口经过调整,以使总A限流器口/总A孔≧1.5的步骤。图式简单说明:图1(习知技术)是将气体输送到习用化学气相沈积(CVD)系统之多沈积室中多屏蔽的输送管线;图2是以皮带驱动之大气压力化学气相沈积(APCVD)系统的侧视概图;图3是具有按照本发明之气体分配系统实施例之APCVD系统中一个沈积室的部分侧视图,图4是具有按照本发明之另一气体分配系统实施例之APCVD系统中一个沈积室的部分侧视图,图5是按照本发明之实施例,操作一APCVD系统以提供实质相等屏蔽气流给若干输送管路之方法实施例的流程图。 |
